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JGDN144
JGDN144
单晶异质结双面双玻组件
570W~600W

  • 采用182mm，N型HJT半片电池

  • 组件功率高达600W，组件转换效率达到23.23%

  • 0BB薄片化半片技术，采用钢网印刷工艺、银包铜

  • 使用光转膜技术，正面输出功率比TOPCon组件高4.1%

  • 无BO-LID，优异的抗LeTID和抗PID性能
    低功率衰减，更高的功率输出

  • 双面率高达95％

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